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Improved carrier confinement and stimulated recombination rate in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried p-AlGaN inversion layer 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146
作者:  Cui, Mei;  Gao, Yuanbin;  Hang, Sheng;  Qiu, Xuejiao;  Zhang, Yonghui
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/12/16