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Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US6821807, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23
作者:  
KANO, TAKASHI;  OHBO, HIROKI;  HAYASHI, NOBUHIKO
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[nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask] 专利  OAI收割
专利号: US20040057481A1, 申请日期: 2004-03-25, 公开日期: 2004-03-25
作者:  
LAN, WEN-HOW;  SHIANG, YUH-DER;  LIN, JIA-CHING;  LIN, KER-JUN;  PERNG, KAI-FUNG
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989179386A, 申请日期: 1989-07-17, 公开日期: 1989-07-17
作者:  
SANEHIRA KIYOSHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1988181492A, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26
作者:  
YOSHIKAWA AKIO;  SUGINO TAKASHI;  WADA MASARU
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