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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2006 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体物理 [2]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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专题:半导体研究所
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第一作者单位
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15
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:32/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a gamma-Al2O3 buffer layer
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 269-273
Shen WJ
;
Wang J
;
Wang QY
;
Duan Y
;
Zeng YP
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ZINC-OXIDE FILMS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SAPPHIRE
GROWTH
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang J
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SINGLE CRYSTALLINE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GALLIUM NITRIDE
001 SILICON
SAPPHIRE
SI
DEPOSITION
ALN
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
OAI收割
2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes (2nd isblled), chiba, japan, sep 29-oct 02, 1998
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
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提交时间:2010/10/29
SAPPHIRE