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• 西安光学精密机械研究... [6]

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• 专利 [6]

发表日期

• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2001 [1]
• 1990 [1]
• 1989 [1]
• 1975 [1]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride 专利  OAI收割 专利号: US7118929, 申请日期: 2006-10-10, 公开日期: 2006-10-10 作者:  FRAYSSINET, ERIC;  BEAUMONT, BERNARD;  FAURIE, JEAN-PIERRE;  GIBART, PIERRE   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure 专利  OAI收割 专利号: US6696372, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24 作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of making an article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor body 专利  OAI收割 专利号: US6271069, 申请日期: 2001-08-07, 公开日期: 2001-08-07 作者:  CHEN, YOUNG-KAI;  CHO, ALFRED YI;  HOBSON, WILLIAM SCOTT   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Formation of laser mirror facets and integration of optoelectronics 专利  OAI收割 专利号: US4933302, 申请日期: 1990-06-12, 公开日期: 1990-06-12 作者:  COSTRINI, GREGORY;  JAMBOTKAR, CHAKRAPANI G.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of epitaxial growth of (IV)x(iii-v)(1-x) alloy and method of converting group iii-v semiconductor structure into irregular alloy and hetero structure and semiconductor device constituted by the same 专利  OAI收割 专利号: JP1989001227A, 申请日期: 1989-01-05, 公开日期: 1989-01-05 作者:  ROBAATO DEII BAANAMU   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for fabricating high efficiency semi-planar electro-optic modulators 专利  OAI收割 专利号: US3916510, 申请日期: 1975-11-04, 公开日期: 1975-11-04 作者:  MARTIN, WILLIAM E.   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24