机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2011 [2]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Bi-centric view of the isostructural phase transitions in alpha-bi2se3 and alpha-bi2te3 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi b-basic solid state physics, 2017, 卷号: 254, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Zhu, Hailiang;  Dong, Juncai;  Li, Pengshan;  Wang, Yan;  Guo, Zhiying 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/04/23 Bi2se3  Bi2te  Charge redistribution  Isostructural phase transition  Pressure  Structural disorder   Stacked bilayer phosphorene: strain-induced quantum spin hall state and optical measurement 期刊论文  iSwitch采集 Scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 13 作者:  Zhang, Tian;  Lin, Jia-He;  Yu, Yan-Mei;  Chen, Xiang-Rong;  Liu, Wu-Ming 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/09 Effect of transverse electric field on helical edge states in a quantum spin-hall system 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Liu, Genhua;  Zhou, Guanghui;  Chen, Yong-Hai 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Cadmium compounds  Ii-vi semiconductors  Mercury compounds  Quantum hall effect  Semiconductor quantum wells  Spin hall effect  Wide band gap semiconductors   Electrical switching of the edge channel transport in hgte quantum wells with an inverted band structure 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Zhang, L. B.;  Cheng, F.;  Zhai, F.;  Chang, Kai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum tunneling through planar p-n junctions in hgte quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 New journal of physics, 2010, 卷号: 12, 页码: 10 作者:  Zhang, L. B.;  Chang, Kai;  Xie, X. C.;  Buhmann, H.;  Molenkamp, L. W. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12