中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
学科主题
半导体器件 [5]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体器件
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Progress and prospects of GaN-based LEDs using nanostructures
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 068506
Zhao Li-Xia
;
Yu Zhi-Guo
;
Sun Bo
;
Zhu Shi-Chao
;
An Ping-Bo
;
Yang Chao
;
Liu Lei
;
Wang Jun-Xi
;
Li Jin-Min
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2016/04/15
Localized deep levels in AlxGa1-xN epitaxial films with various Al compositions
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 11, 页码: 116102, 116102
作者:
Shi Li-Yang
;
Shen Bo
;
Yan Jian-Chang
;
Wang Jun-Xi
;
Wang Ping
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2015/03/20
窄脊半导体器件的制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
杨冠卿
;
梁平
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2017/06/05
氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25, 2013-12-25
作者:
姬小利
;
郭金霞
;
马平
;
马骏
;
魏同波
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2014/11/17
一种氮化镓系发光器件
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12, 2014-03-12
作者:
姬小利
;
路红喜
;
郭金霞
;
魏同波
;
伊晓燕
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2014/11/05