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• 高能物理研究所 [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]

学科主题

• Crystallog... [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Crystallography     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, 2009, 卷号: 42, 页码: 1068-1072 作者:  Ning, LN;  Hu, XB;  Huang WX(黄万霞);  Yuan QX(袁清习);  Wang, YM 收藏  |