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Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Shi, K.
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High power passively mode-locked nd:yvo4 laser using graphene oxide as a saturable absorber 期刊论文  iSwitch采集
Laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2072-2075
作者:  Zhang, L.;  Wang, Y. G.;  Yu, H. J.;  Zhang, S. B.;  Hou, W.
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Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J.
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The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J.
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Resonant-cavity blue light-emitting diodes fabricated by two-step substrate transfer technique 期刊论文  iSwitch采集
Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 986-u69
作者:  Hu, X. -L.;  Zhang, J. -Y.;  Liu, W. -J.;  Chen, M.;  Zhang, B. -P.
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Anomalous linear photogalvanic effect observed in a gan-based two-dimensional electron gas 期刊论文  iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 5
作者:  Peng, X. Y.;  Zhang, Q.;  Shen, B.;  Shi, J. R.;  Yin, C. M.
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Passive mode-locked nd:yvo4 laser using a multi-walled carbon nanotube saturable absorber 期刊论文  iSwitch采集
Laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1382-1386
作者:  Zhang, L.;  Wang, Y. G.;  Yu, H. J.;  Sun, L.;  Hou, W.
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Polarized x-ray spectroscopy of quaternary ferromagnetic semiconductor (ga,mn)(as,p) thin films 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 3
作者:  Wadley, P.;  Casiraghi, A.;  Wang, M.;  Edmonds, K. W.;  Campion, R. P.
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The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C.
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Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:  Jiang, L. J.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, Z. G.;  Yang, C. B.
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