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Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J.
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The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J.
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Inalgaas/inp cylinder microlaser connected with two waveguides 期刊论文  iSwitch采集
Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 16, 页码: 929-930
作者:  Lin, J. -D.;  Huang, Y. -Z.;  Yao, Q. -F.;  Lv, X. -M.;  Yang, Y. -D.
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Single transverse whispering-gallery mode algainas/inp hexagonal resonator microlasers 期刊论文  iSwitch采集
Ieee photonics journal, 2011, 卷号: 3, 期号: 4, 页码: 756-764
作者:  Lin, J. D.;  Huang, Y. Z.;  Yang, Y. D.;  Yao, Q. F.;  Lv, X. M.
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The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C.
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Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:  Jiang, L. J.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, Z. G.;  Yang, C. B.
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Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- sio2/si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: 3
作者:  Zheng, X. H.;  Huang, A. P.;  Xiao, Z. S.;  Yang, Z. C.;  Wang, M.
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An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.
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Growth and characterization of algan/gan heterostructure using unintentionally doped aln/gan superlattices as barrier layer 期刊论文  iSwitch采集
Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:  Zhang, M. L.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Yang, C. B.
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High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集
Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X.
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