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  • 2017 [2]
学科主题
  • 光电子学 [2]
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Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文  OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68
作者:  
S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2018/07/11
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:  
P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2018/07/11