机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2011 [3]

学科主题

• 光电子学 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：62/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 127306 Le LC (Le Ling-Cong); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wu LL (Wu Liang-Liang); Deng Y (Deng Yi); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/02/22 Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER