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发表日期
  • 2011 [1]
学科主题
  • 半导体物理 [1]
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Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 110, 110, 期号: 5, 页码: 54320, 54320
作者:  
Ning JQ;  Xu SJ;  Ruan XZ;  Ji Y;  Zheng HZ
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