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• 半导体研究所 [5]

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• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2008 [5]

学科主题

• 半导体物理 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2008     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Ji L;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |   Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108 Sun, X; Liu, WB; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, S; Wang, LL; Wang, H; Zhu, JJ; Duan, LH; Wang, YT; Zhao, DG; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |   Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488 Zhu, JH; Zhang, SM; Sun, X; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Jiang, DS; Duan, LH; Wang, H; Shi, YS; Liu, SY; Yang, H 收藏  |   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |   Structural properties of ne implanted GaN 期刊论文  OAI收割 physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601 作者:  Zhu JJ;  Yang H;  Liu W;  Liu W;  Lu GJ 收藏  |