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发表日期
  • 2007 [1]
学科主题
  • 半导体物理 [1]
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A comparison between AlN films grown by MOCVD using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 516-518
Hu, WG (Hu Wei-Guo); Liu, XL (Liu Xiang-Lin); Zhang, PF (Zhang Pan-Feng); Zhao, FA (Zhao Feng-Ai); Jiao, CM (Jiao Chun-Mei); Wei, HY (Wei Hong-Yuan); Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing); Wu, JJ (Wu Jie-Jun); Cong, GW (Cong Guang-Wei); Pan, Y (Pan Yi)
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