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半导体研究所 [22]
采集方式
OAI收割 [22]
内容类型
专利 [22]
发表日期
学科主题
半导体材料 [22]
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浏览/检索结果:
共22条,第1-10条
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内容类型:专利
学科主题:半导体材料
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消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
刘兴昉
;
刘斌
;
刘胜北
;
闫果果
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/09/22
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
郑柳
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
曾一平
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2014/10/31
用于碳化硅生长的高温装置及方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
刘兴昉
;
刘斌
;
闫果果
;
刘胜北
;
田丽欣
;
申占伟
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/09/28
塔式多片外延生长装置
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
刘兴昉
;
刘胜北
;
刘斌
;
闫果果
;
赵万顺
;
王雷
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/08/30
一种多片碳化硅半导体材料制造装置
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
闫果果
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/09/12
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/08/30
一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
刘兴昉
;
刘斌
;
闫果果
;
刘胜北
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/09/22
4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
刘斌
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
董林
;
郑柳
;
闫果果
;
刘胜北
;
张峰
;
赵万顺
;
王雷
;
曾一平
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提交时间:2014/11/24
碳化硅材料腐蚀炉
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
董林
;
孙国胜
;
赵万顺
;
王雷
;
刘兴昉
;
刘斌
;
张峰
;
闫果果
;
郑柳
;
刘胜北
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/10/29
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
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提交时间:2014/11/24