机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 会议论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 半导体器件 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A New Technique for Side Pumping of Double-Clad Fiber Lasers 会议论文  OAI收割 asia optical fiber communication and optoelectronic exposition and conference, shanghai, peoples r china, oct 17-19, 2007 Wang, DZ; Feng, XM; Wang, YG; Wang, CL; Lan, YS; Liu, SP; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE 会议论文  OAI收割 international conference on superlattices nano-structures and nano-devices (icsnn-02), toulouse, france, jul 22-26, 2002 Lan Q; Niu ZC; Zhou DY; Kong YC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/15 Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN