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金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
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共1条,第1-1条
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专题:金属研究所
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第一作者单位
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发表日期:2012
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Tunable Band Gaps and p-Type Transport Properties of Boron-Doped Graphenes by Controllable Ion Doping Using Reactive Microwave Plasma
期刊论文
OAI收割
Acs Nano, 2012, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 1970-1978
Y. B. Tang
;
L. C. Yin
;
Y. Yang
;
X. H. Bo
;
Y. L. Cao
;
H. E. Wang
;
W. J. Zhang
;
I. Bello
;
S. T. Lee
;
H. M. Cheng
;
C. S. Lee
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提交时间:2013/02/05
graphene
controllable doping
tunable band gaps
p-type transport
properties
boron-doped
microwave plasma
walled carbon nanotubes
ray photoelectron-spectroscopy
field-effect
transistors
high-quality
electronic-properties
epitaxial graphene
films
transparent
deposition
oxide