机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2018 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2018     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Direct Growth of 5 in. Uniform Hexagonal Boron Nitride on Glass for High-Performance Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials Interfaces, 2018, 卷号: 5, 期号: 18, 页码: 1800662 作者:  Qiucheng Li;   Qingqing Wu;   Jing Gao;   Tongbo Wei;   Jingyu Sun;   Hao Hong;   Zhipeng Dou;   Zhepeng Zhang;   Mark H. Rümmeli;   Peng Gao;   Jianchang Yan;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Yanfeng Zhang;   Zhongfan Liu   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/11/12 Static and dynamic signatures of anisotropic electronic phase separation in La 2/3 Ca 1/3 MnO 3 thin films under anisotropic strain 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 2018, 卷号: 97, 期号: 21, 页码: 214428 作者:  L. Hu;  L. Q. Yu;  P. Xiong;  X. L. Wang;  J. H. Zhao;  L. F. Wang;  Z. Huang;  W. B. Wu   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/18 Experimental evidence for an anisotropic Berry-phase effect on the anomalous Hall effect in MnAs films 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 064402 作者:  J. L. Ma;   H. L. Wang;   X. L. Wang;   J. H. Zhao   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/18 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40 作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/19