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半导体研究所 [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
学科主题
半导体器件 [6]
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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限定条件
内容类型:专利
条数/页:
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31
作者:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2011/08/31
用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26, 2012-09-26
作者:
吴奎
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2014/10/31
在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19, 2012-09-19
作者:
吴奎
;
魏同波
;
闫建昌
;
刘喆
;
王军喜
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/10/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31
作者:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/08/31
一种增强LED出光效率的粗化方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31
作者:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/31
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
作者:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/08/31
基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03, 2012-10-03
作者:
吴奎
;
魏同波
;
蓝鼎
;
闫建昌
;
刘喆
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/10/28
具有空气桥结构发光二极管的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19, 2012-09-19
作者:
吴奎
;
魏同波
;
闫建昌
;
刘喆
;
王军喜
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2014/10/28
蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26, 2012-09-26
作者:
吴奎
;
魏同波
;
闫建昌
;
刘喆
;
王军喜
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/10/28
纳米柱发光二极管的制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03, 2012-10-03
作者:
吴奎
;
魏同波
;
闫建昌
;
刘喆
;
王军喜
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2014/10/28