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• 上海技术物理研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [2]
• 2007 [3]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 氮化镓基发光二极管指示笔 专利  OAI收割 专利号: 200510110631.X, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1陆卫2王少伟3夏长生4李宁5李志锋6张波7陈平平8陈效双9陈明法   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/07/06 氮化镓基圆盘式单色光源列阵 专利  OAI收割 专利号: 200610028490.1, 申请日期: 2008-01-01, 公开日期: 2011-07-06 作者:  1陆卫2王少伟3夏长生4李志锋5张波;  6李宁;  7陈效双;  8陈明法   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/07/06 氮化镓基高单色性光源阵列 专利  OAI收割 专利号: 200510029388.9, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:  1陆卫2王少伟3夏长生4李宁5李志锋6张波7陈平平8陈效双9陈明法   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/09/07 氮化镓基光子晶体激光二极管 专利  OAI收割 专利号: 200510110629.2, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/09/07 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法 专利  OAI收割 专利号: 200510110630.5, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:  1陆卫2夏长生3李志锋4李宁5王少伟6张波、7陈平平8陈效双9陈明法   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/09/07 基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 4 作者:  钟红梅;  陈效双;  王金斌;  夏长生;  王少伟   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/10/21