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力学研究所 [1]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
专利 [1]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [2]
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共2条,第1-2条
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发表日期:2016
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FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin
会议论文
OAI收割
作者:
Wu ZH(吴振华)
;
Luo J(罗军)
;
Meng LK(孟令款)
;
Zhang QZ(张青竹)
;
Li YD(李昱东)
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提交时间:2017/05/19
一种用于直联式超声速然烧实验台的液氧供给系统
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: ZL201410654950.6, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-11-17
作者:
李龙
;
袁涛
;
范学军
;
孟令瑾
;
倪晓磊
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提交时间:2016/08/31