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Excellent passivation with implied open-circuit voltage of 710 mV for p-type multi-crystalline black silicon using PECVD grown a-Si:H passivation layer 期刊论文  OAI收割
SOLAR ENERGY, 2020, 卷号: 211, 页码: 753-758
作者:  
Lin, Yiran;  Feng, Mengmeng;  Wang, Zhixue;  Zeng, Yuheng;  Liao, Mingdun
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