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长春光学精密机械与... [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2022 [3]
2021 [1]
2020 [6]
2018 [3]
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共13条,第1-10条
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专题:长春光学精密机械与物理研究所
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The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation
期刊论文
OAI收割
Advanced Electronic Materials, 2022, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 11
作者:
Y. Chen
;
Z. M. Shi
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
K. Jiang
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提交时间:2022/06/13
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
OAI收割
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy
期刊论文
OAI收割
2022
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
J. Ben
;
S. Zhang
;
K. Jiang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2023/06/14
Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
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提交时间:2023/06/14
Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal-organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors
期刊论文
OAI收割
Nanoscale Advances, 2020, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 1854-1858
作者:
Y. Wu,X. J. Sun,Z. M. Shi,Y. P. Jia,K. Jiang,J. W. Ben,C. H. Kai,Y. Wang,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4
作者:
J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors
期刊论文
OAI收割
Photonics Research, 2020, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 1243-1252
作者:
K. Jiang,X. J. Sun,Z. H. Zhang,J. W. Ben,J. M. Che,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,W. Lv and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Suppressing the luminescence of V cation -related point -defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN
期刊论文
OAI收割
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 520, 页码: 9
作者:
K. Jiang,X. J. Sun,J. W. Ben,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,T. Wu,W. Lu and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:
C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06