中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Luminescence of La0.2Y1.8O3 nanostructured scintillators
期刊论文
OAI收割
optics letters, 2014, 卷号: 39, 期号: 19, 页码: 5705-5708
Chen, W
;
Tu, HQ
;
Sahi, S
;
Mao, DF
;
Kenarangui, R
;
Luo, JM
;
Jin, P
;
Liu, SM
;
Ma, L
;
Brandt, A
;
Weiss, A
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Properties of cubic GaN grown by MBE
期刊论文
OAI收割
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221
Brandt O
;
Yang H
;
Mullhauser JR
;
Trampert A
;
Ploog KH
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/17
cubic gallium arsenide film
molecular beam epitaxy
photoluminescence
transmission electron microscopy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS