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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2013 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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共3条,第1-3条
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专题:半导体研究所
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Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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提交时间:2014/04/09
Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Guo, Xiaolu
;
Ma, Wenquan
;
Huang, Jianliang
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Zhang, Yanhua
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Wei, Yang
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Cui, Kai
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Cao, Yulian
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/10/08
540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
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提交时间:2013/08/27