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  • 半导体物理 [6]
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Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Fang, ZL; Su, FH; Ma, BS; Ding, K; Han, HX; Li, GH; Sou, IK; Ge, WK
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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文  OAI收割
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 期刊论文  OAI收割
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL; Li GH; Liu NZ; Zhu ZM; Han HX; Ding K; Ge WK; Sou IK
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172
Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Li GH; Sou IK; Ge WK
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Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z
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