机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2002 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 (Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：76/6  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  gallium arsenide  FILMS  FE   MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：112/13  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting manganese silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  THIN-FILMS