中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
过程工程研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2015 [4]
学科主题
Materials ... [1]
Science & ... [1]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2015
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
High-Performance GaAs Nanowire Solar Cells for Flexible and Transparent Photovoltaics
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 36, 页码: 20454-20459
作者:
Han, Ning
;
Yang, Zai-xing
;
Wang, Fengyun
;
Dong, Guofa
;
Yip, SenPo
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2015/11/09
GaAs nanowires
Schottky contact
photovoltaics
output reinforcement
transparent and flexible solar cells
Approaching the Hole Mobility Limit of GaSb Nanowires
期刊论文
OAI收割
ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 9, 页码: 9268-9275
作者:
Yang, Zai-xing
;
Yip, Senpo
;
Li, Dapan
;
Han, Ning
;
Dong, Guofa
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2015/11/16
GaSb nanowires
surfactant-assisted chemical vapor deposition
diameter dependent
growth orientation
hole mobility
Modulating Electrical Properties of InAs Nanowires via Molecular Monolayers
期刊论文
OAI收割
ACS NANO, 2015, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: 7545-7552
作者:
Cheung, Ho-Yuen
;
Yip, SenPo
;
Han, Ning
;
Dong, Goufa
;
Fang, Ming
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2015/09/07
InAs nanowires
molecular monolayers
aromatic thiol
threshold voltages
electrical properties
mobility
Modulating the Morphology and Electrical Properties of GaAs Nanowires via Catalyst Stabilization by Oxygen
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 9, 页码: 5591-5597
作者:
Han, Ning
;
Yang, Zaixing
;
Wang, Fengyun
;
Yip, SenPo
;
Dong, Guofa
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2015/05/12
GaAs nanowire
oxygen
diameter control
electronic property
CMOS inverter