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机构
微电子研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
外文期刊 [9]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2008 [5]
2001 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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限定条件
内容类型:外文期刊
条数/页:
5
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80
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Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure
外文期刊
OAI收割
2010
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
;
Wu, Dx
;
Zhou, L
;
Chang, HD
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/26
Inp/gaassb/inp Dhbts
Graded-base
Ghz
Bvceo
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Qi, M
;
Xu, AH
;
Liu, XY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/26
红外与毫米波学报
Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, Y
;
Cheng, W
;
Liu, X
;
Xu, A
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/26
High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/26
Amplifier
Base
High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Jin, Z
;
Liu, X
;
Prost, W
;
Tegude, FJ
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
Graded-base
Sinx Passivation
Npn
Noise modeling and characterization for 1.5-V 1.8-GHz SOI low-noise amplifier
外文期刊
OAI收割
2001
作者:
Jin, W
;
Liu, WD
;
Hai, CH
;
Chan, PCH
;
Hu, CM
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Cmos
Receiver