机构

• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 专利 [1]

发表日期

• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利  OAI收割 专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11 作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24