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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
学科主题
光电子学 [2]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
学科主题:光电子学
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Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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提交时间:2010/03/29
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