机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 2002 [5]
• 2000 [2]
• 1999 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Fe doping on the strain and optical properties of GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 98, 页码: 55430-55434, 55430-55434 作者:  Zheng, CC;  Ning, JQ;  Wu, ZP;  Wang, JF;  Zhao, DG   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/03/20 Symmetry in the diagonal self-assembled inas quantum wire arrays on inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 International journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Cui, LJ;  Zhu, ZP;  Wang, BX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Rapid thermal annealing effects on step-graded inalas buffer layer and in0.52al0.48as/in0.53ga0.47as metamorphic high electron mobility transistor structures on gaas substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432 作者:  Cui, LJ;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Wu, J;  Zhu, ZP 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate 会议论文  OAI收割 symposium on advance characterization of electronic materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 INP(001)  EPITAXY  GAAS   Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432 Cui LJ; Zeng YP; Wang BQ; Wu J; Zhu ZP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：69/6  |  提交时间：2010/08/12 HEMTS   Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426 Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/08/12 INP(001)  EPITAXY  GAAS   Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of mbe-grown chlorine-doped znse epilayers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553 作者:  Wang, SZ;  Xie, SW;  Pang, QJ;  Zheng, H;  Xia, YX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Mbe  Znse : cl  Photoluminescence  Quenching mechanisms   Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of MBE-grown chlorine-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553 Wang SZ; Xie SW; Pang QJ; Zheng H; Xia YX; Ji RB; Wu Y; He L; Zhu ZM; Li GH; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  ZnSe : Cl  photoluminescence  quenching mechanisms  QUANTUM-WELLS   Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY