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  • 光电子学 [2]
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The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.)
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Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.); Wang, H (Wang, H.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Jin, RQ (Jin, R. Q.); Huang, Y (Huang, Y.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Yang, H (Yang, H.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, KH (Ploog, K. H.)
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2010/03/29