中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [2]
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
  |  
浏览/下载:92/14
  |  
提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:
Xue CL
;
Su SJ
收藏
  |  
浏览/下载:61/2
  |  
提交时间:2010/03/08
porous anodic alumina mask
silicon nanopore array structure
pattern transfer
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS