机构

• 新疆理化技术研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 1-5 作者:  Ma, LD (Ma, Lindong);  Li, YD (Li, Yudong);  Guo, Q (Guo, Qi);  Wen, L (Wen, Lin);  Zhou, D (Zhou, Dong)   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/01/08 Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos) Active Pixel Sensor  Dark Current  Fixed-pattern Noise  Quantum Efficiency   Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6 作者:  Liu, Y (Liu Yuan);  Chen, HB (Chen Hai-Bo);  Liu, YR (Liu Yu-Rong);  Wang, X (Wang Xin);  En, YF (En Yun-Fei)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/25 SilicOn On Insulator  Ion implantatIon  Ionizing Radiation  Low Frequency Noise   Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199 作者:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/01/26 Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect