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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2016 [1]
2013 [2]
2012 [1]
学科主题
半导体器件 [4]
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浏览/检索结果:
共4条，第1-4条
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学科主题：半导体器件
条数/页：
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Broadband full-color monolithic InGaN light-emitting diodes by self-assembled InGaN quantum dots
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 35217
Hongjian Li
;
Panpan Li
;
Junjie Kang
;
Jiianfeng Ding
;
Jun Ma
;
Yiyun Zhang
;
Xiaoyan Yi
;
Guohong Wang
收藏
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浏览/下载：36/0
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提交时间：2017/03/16
Analysis Model for Efficiency Droop of InGaN Light-Emitting Diodes Based on Reduced Effective Volume of Active Region by Carrier Localization
期刊论文
OAI收割
applied physics express, Applied Physics Express, 2013, 2013, 卷号: 6, 6, 期号: 9, 页码: 092101, 092101
作者:
Hongjian Li, Panpan Li, Junjie Kang, Zhi Li, Yiyun Zhang, Meng Liang, Zhicong Li, Jing Li, Xiaoyan Yi and Guohong Wang
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2014/04/09
Quantum Efficiency Enhancement of 530 nm InGaN Green Light-Emitting Diodes with Shallow Quantum Well
期刊论文
OAI收割
applied physics express, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 2013, 卷号: 6, 6, 期号: 5, 页码: 052102, 052102
作者:
Li, Hongjian
;
Li, Panpan
;
Kang, Junjie
;
Li, Zhi
;
Zhang, Yiyun
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2013/08/27
Improved ESD characteristic of GaN-based blue light-emitting diodes with a low temperature n-type GaN insertion layer
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2012, 2012, 卷号: 33, 33, 期号: 10, 页码: 104002, 104002
作者:
Li, Panpan
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浏览/下载：14/0
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提交时间：2013/05/07
