机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2010 [2]
• 2007 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• 微电子学 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102 Zheng Zhongshan; Liu Zhongli; Li Ning; Li Guohua; Zhang Enxia 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2011/08/16 Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106 Tang HM (Tang Hai-Ma); Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang EX (Zhang En-Xia); Yu F (Yu Fang); Li N (Li Ning); Wang NJ (Wang Ning-Juan) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/11/02 silicon-on-insulator wafers  radiation hardness  nitrogen implantation   Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451 Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang, EX (Zhang En-Xia); Liu, ZL (Liu Zhong-Li); Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan); Li, N (Li Ning); Li, GH (Li Guo-Hua) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 SIMOX   Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430 作者:  YU Fang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866 Zheng Zhongshan; Liu Zhongli; Zhang Guoqiang; Li Ning; Li Guohua; Ma Hongzhi; Zhang Enxia; Zhang Zhengxuan; Wang Xi 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23