机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 微电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER   Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106 Tang HM (Tang Hai-Ma); Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang EX (Zhang En-Xia); Yu F (Yu Fang); Li N (Li Ning); Wang NJ (Wang Ning-Juan) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/11/02 silicon-on-insulator wafers  radiation hardness  nitrogen implantation