机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 会议论文 [3]

发表日期

• 2002 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  BAND   First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2) 会议论文  OAI收割 2nd international conference on radiation effects on semiconductor materials, detectors and devices, florence, italy, mar 04-06, 1998 Li Z; Dezilllie B; Eremin V; Li CJ; Verbitskaya E 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 strip detectors  silicon detectors  annealing  simulation  irradiation  N-EFF  JUNCTION DETECTORS  RADIATION-DAMAGE  MODELS   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS