机构

• 上海微系统与信息技术... [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2000 [1]
• 1995 [1]

学科主题

• Multidisci... [4]
• Physics [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    学科主题：Multidisciplinary     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353 Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K; Zhang, EX; Yi, WB; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  SCATTERING  INVERSION  MOBILITY  DEVICES   Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 149-152 Yi,WB; Chen,J; Chen,M; Wang,X; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  OXYGEN  SEPARATION   Growth of biaxially textured yttria-stabilized zirconia thin films on Si(111) substrate by ion beam assisted deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 221-223 Mu,HC; Ren,CX; Jiang,BY; Ding,XZ; Yu,YH; Wang,X; Liu,XH; Zhou,GE; Jia,YB 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 BA-CU-O  HIGH CRITICAL CURRENTS  BUFFER LAYERS  SUPERCONDUCTING FILMS  SILICON  YBA2CU3O7-DELTA  BOMBARDMENT  SI  ORIENTATION  DIOXIDE   Reactive deposition epitaxial growth of beta-FeSi2 film on Si(001): In situ observation by reflective high energy electron diffraction 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 613-616 Wang,LW; Lin,CL; Shen,QW; Ni,RS; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 001 SILICON  DISILICIDE