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Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma 专利  OAI收割
专利号: US8257987, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
作者:  
MOUSTAKAS, THEODORE D.;  WILLIAMS, ADRIAN D.
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Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen 专利  OAI收割
专利号: US6953703, 申请日期: 2005-10-11, 公开日期: 2005-10-11
作者:  
MOUSTAKAS, THEODORE D.
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