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Distributed-feedback semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US6111906, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29
作者:  MUROYA, YOSHIHARU
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Method for manufacturing diffraction gratings and semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: EP0997994A1, 申请日期: 2000-05-03, 公开日期: 2000-05-03
作者:  MORIMOTO, TAKAO, C/O NEC CORPORATION;  MUROYA, YOSHIHARU, C/O NEC CORPORATION
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
Method for fabricating InP diffraction grating and distributed feedback laser 专利  OAI收割
专利号: US5668047, 申请日期: 1997-09-16, 公开日期: 1997-09-16
作者:  MUROYA, YOSHIHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Distributed feedback type semiconductor laser device having gradually-changed coupling coefficient 专利  OAI收割
专利号: EP1073169A1, 公开日期: 2001-01-31
作者:  MUROYA, YOSHIHARU
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26