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Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103
作者:  
Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K
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