绝缘栅双极晶体管
文献类型:专利
| 作者 | 朱阳军; 赵佳; 左小珍; 卢烁今; 孙宝刚 |
| 发表日期 | 2011-06-23 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管,所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管,由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状,因此,单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大,从而使得器件的导通电阻较小;而且,采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构,能够使得各元胞更紧密地结合,从而使得电流分布更均匀,还能提高器件的表面利用率。 |
| 公开日期 | 2016-04-07 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14655] ![]() |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱阳军,赵佳,左小珍,等. 绝缘栅双极晶体管. 2011-06-23. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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