IGBT版图
文献类型：专利
| 作者 | 朱阳军; 左小珍; 赵佳; 卢烁今 |
| 发表日期 | 2011-06-27 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型实施例公开了一种IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。 |
| 公开日期 | 2016-04-07 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14657]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱阳军,左小珍,赵佳,等. IGBT版图. 2011-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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