绝缘栅双极晶体管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 左小珍; 孙宝刚; 朱阳军; 赵佳; 吴振兴; 卢烁今 |
| 发表日期 | 2011-07-18 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15523]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左小珍,孙宝刚,朱阳军,等. 绝缘栅双极晶体管及其制作方法. 2011-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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