本发明公开了一种PIN超结结构，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接；所述本征区设置在N型柱及P型柱之间。本发明提供的PIN超结结构，在传统的N+/P+柱之间加入本征区域，从而使N+/P+柱的宽度和掺杂浓度的约束关系去除，不仅能给器件设计提供更大的自由度，还能更好的去折中器件的性能。