本发明涉及绝缘栅场效应晶体管技术领域，公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法。该制作方法包括：采用N型SiC单晶材料作为衬底材料，并在SiC的表面外延生长出石墨烯，形成石墨烯导电层；刻蚀石墨烯，并保留栅极下方的元胞区之间的非沟道区域的石墨烯；按照制作绝缘栅场效应晶体管的工艺要求形成P型基区、N型发射区、有源区金属层及栅极金属层；在绝缘栅场效应晶体管金属化后，在绝缘栅场效应晶体管的背面生成集电极金属。本发明在不降低器件的耐压特性的基础上，降低了芯片的整体电阻，使得器件具有更小的饱和导通压降。