本发明公开了一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法，属于半导体功率器件制备技术领域。该终端结构的终端区域至少有一个沟槽，沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，沟槽内有填充物。本发明一方面可以在保证器件具有高的击穿电压的同时，缩小了终端保护区的面积，降低了芯片制造成本；另一方面能够降低寄生电荷的影响，提高器件的可靠性。