本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N-型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N-型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两沟槽内和两沟槽之间以外的多晶硅层，在两沟槽的外侧分别形成p-基底区域，在p-基底区域形成N+注入区；在p-基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分隔离氧化层，形成发射器的接触孔。本发明通过在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，从而增加了器件的快速反应能力。